地点：微纳材料与传感实验室学术报告厅（4-1303）
时间：
报告题目一：硒化铟纳米结构的合成、表征及光电应用
报告人：李钦亮 博士（苏州大学功能纳米与软物质研究院）
摘要：
1.通过VLS方法摸索出合成高质量硒化铟（In2Se3）纳米线合成条件，并对所合成出的纳米线的形貌，化学成分，吸收光谱，晶体结构进行了详细的分析。构建基于单根硒化铟纳米线的纳米器件，对其基本电学性能，光电性能，进行了具体测试和分析，主要是在不同光照波长，不同光照强度和不同环境温度下，对单根硒化铟纳米线光探测器件性能的分析。通过控制纳米线生长温度来调控纳米线的直径，构建了一批不同直径的单根纳米线器件，并对这一系列的器件进行了详细的光电性能分析。并且通过控制条件，合成出高质量的纳米线阵列。
2.探索通过VLS方法合成硒化铟纳米片的条件，合成出高质量的微米尺度的纳米片，并对其的化学成分，晶体结构和生长机理进行了具体的分析。构建基于硒化铟纳米片的FET器件和通过CAFM测试手段，发现二维的In2Se3纳米片的光电的各向异性和优异的光响应特性，并且发现和研究了基于肖脱基势垒的光伏效应。
个人简介：李钦亮 博士，苏州大学功能纳米与软物质研究院，研究兴趣：低维半导体纳米材料的合成和表征（纳米线和纳米片）；基于低维纳米材料的微纳器件的构建和传感应用（光电探测器）。在Appl. Phys. Lett.等SCI期刊发表论文多篇。
代表性论文及著作：
1.Q. L. Li, Y. Li, J. Gao, S. D. Wang and X. H. Sun. “High performance single In2Se3 nanowire photodetector”,Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 243105 (Selected by Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology).
2.Qin-Liang Li, Chang-Hai Liu, Yu-Ting Nie, Wen-Hua Chen, Xu-Hui Sun*, and Sui-Dong Wang*, Phototransistor based on Single In2Se3 Nanosheet, (Nanoscale, 2014: waiting for decision after revision).
3.Y. Li, J. Gao, Q. L. Li, M. F. Peng, X. H. Sun, Y. Y. Li, G. Yuan, W. Wen, and M. Meyyappan. “Thermal phase transformation of In2Se3 nanowires studied by in situ synchrotron radiation X-ray diffraction”, J. Mater. Chem. 2011, 21, 6944.
4.H. Zhu, Q. L. Li, X. J. She and S. D. Wang. “Surface roughening evolution in pentacene thin film growth”, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 243304.
5.Ronghui Que, Qi Shao, Qinliang Li, Mingwang Shao, Shiduan Cai, Suidong Wang, and Shuit-Tong Lee. “Flexible Nanogenerators Based on Graphene Oxide Films for Acoustic Energy Harvesting”, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 124 , 5514 – 5518.
6.Wen-Hua Chen, Chang-Hai Liu, Qin-Liang Li, Qi-Jun Sun, Jie Liu, Xu Gao, Xu-Hui, Sun, Sui-Dong Wang*, Intrinsic Ge Nanowire Nonvolatile Memory Based on Simple Core-Shell Structure. Nanotechnology, 2014, 25,075201.
7.Qin-Liang Li, Yu-Ting Nie, Chang-Hai Liu, Wen-Hua Chen, Xu-Hui Sun*, and Sui-Dong Wang*, Anisotropic optoelectronic properties and photovoltaic application of In2Se3 Nanosheet, (in prepare).
报告题目二：材料-器件一体化制备气敏传感器的新方法和新技术
报告人：徐铿 博士（华中科技大学）
摘要：
气敏材料的分级多孔结构有助于气体在气敏膜中的快速扩散，从而提高传感器的响应值和缩短响应时间，但是材料的分级多孔结构很容易在传感器器件制备过程中受到破坏，为了解决这个问题我们探索出了材料-器件一体化制备气敏传感器的新方法，在传感器表面原位合成和调控气敏材料的分级结构，得到了性能优越的传感器器件，在此基础上又设计出了传感器阵列，不仅解决了响应值低和响应时间长的问题，还解决了气敏选择性的问题。
个人简介：
徐铿，工学博士，毕业于华中科技大学。研究领域：金属氧化物半导体气体敏感材料；类石墨烯材料制备及在气敏上的应用。
代表性论文及著作：
1、Keng Xu, Dawen Zeng, Shouqin Tian, Changsheng Xie. Hierarchical porous SnO2 micro-rods topologically transferred from tin oxalate for fast response sensors to trace formaldehyde. Sensors and Actuators B: Chemical, 2014, 190: 585-592. (SCI，IF=3.8)
2、Keng Xu, Dawen Zeng, Shouqin Tian, Changsheng Xie. Correlation between Microstructure and Gas Sensing Properties of Hierarchical Porous Tin Oxide Topologically Synthesized on Coplanar Sensors’ Surface. Sensors and Actuators B: Chemical, 2014. (SCI，IF=3.8)
3、Sheng Yi, Dawen Zeng, Keng Xu. An In2O3 nanowire-like network fabricated on coplanar sensor surface by sacrificial CNTs for enhanced gas sensing performance[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2013, 185: 345-353. (SCI，IF=3.5)
4、Sheng Yi, Dawen Zeng, Keng Xu. A novel approach to fabricate metal oxide nanowire-like networks based coplanar gas sensors array for enhanced selectivity. Sensors and Actuators B: Chemical, 2014. (SCI，IF=3.8)
5、Wang Q, Zeng D, Keng Xu. Controlled surface modification of various substrates with SnO2 nanoparticles. CrystEngComm, 2014, 16(2): 139-143. (SCI，IF=3.8)